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光刻技術(shù)實(shí)際上是一種精密表面加工技術(shù)，它借助于一定波長的激光光源以及選擇性的化學(xué)腐蝕和刻蝕技術(shù)把設(shè)計(jì)的微納圖案轉(zhuǎn)移到硅基板上。但是隨著集成電路功能和密度的提升傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已經(jīng)難以滿足當(dāng)前對(duì)線寬越來越小的需求。但是打破衍射極限的大型光刻設(shè)備又極其昂貴。為了擺脫光學(xué)衍射極限和克服高成本的限制，一種操作簡單，成本低廉的納米壓印技術(shù)產(chǎn)生了。納米壓印的技術(shù)核心是充分利用機(jī)械能將剛性模板上的圖案轉(zhuǎn)到抗蝕劑上，之后再借助溶脫、剝離、刻蝕等將圖案轉(zhuǎn)移到基板上。到目前為止壓印技術(shù)已經(jīng)發(fā)展出來...

白光干涉儀目前在3D檢測(cè)領(lǐng)域是精度高的測(cè)量儀器之一，在同等系統(tǒng)放大倍率下檢測(cè)精度和重復(fù)精度都高于共聚焦顯微鏡和聚焦成像顯微鏡，在一些納米級(jí)和亞納米級(jí)的超精密加工領(lǐng)域，除了白光干涉儀，其它的儀器無法達(dá)到其測(cè)量精度要求。儀器的測(cè)量原理：本儀器是利用光學(xué)干涉原理研制開發(fā)的超精密表面輪廓測(cè)量儀器。照明光束經(jīng)半反半透分光鏡分威兩束光，分別投射到樣品表面和參考鏡表面。從兩個(gè)表面反射的兩束光再次通過分光鏡后合成一束光，并由成像系統(tǒng)在CCD相機(jī)感光面形成兩個(gè)疊加的像。由于兩束光相互干涉，在C...

接觸式光刻機(jī)是一種用于信息科學(xué)與系統(tǒng)科學(xué)、能源科學(xué)技術(shù)、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，于2016年7月12日啟用。接觸式光刻機(jī)的使用原理：其實(shí)在我國對(duì)于接觸式光刻機(jī)，曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5gm左右。該設(shè)備的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個(gè)由手動(dòng)控制的臺(tái)子上，臺(tái)子...

電容位移傳感器的原理是利用力學(xué)變化使電容器中其中的一個(gè)參數(shù)發(fā)生變化的方法實(shí)現(xiàn)信號(hào)的變化的。該傳感器由目標(biāo)和探針兩個(gè)傳感板組成電容器。當(dāng)電容器之間的距離發(fā)生改變時(shí)，電容器的電容量就會(huì)發(fā)生改變，使用適當(dāng)?shù)目刂破骶蜁?huì)測(cè)出兩個(gè)傳感板距離的變化。測(cè)量原理特性：采用電容式測(cè)量原理，需要潔凈和干燥的環(huán)境，否則傳感器探頭和被測(cè)物體之間的物質(zhì)介電常數(shù)的變化會(huì)影響測(cè)量結(jié)果。我們也推薦任何時(shí)候，都盡量縮短探頭到控制器之間的電纜長度。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，配備前置放大器，電纜長度設(shè)定為1m。如果配備外置放大...

掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)的試驗(yàn)方法：1、環(huán)境條件檢查：a、溫度、相對(duì)濕度檢查：試驗(yàn)期間，用精度不低于1級(jí)的干濕球濕度計(jì)每4h測(cè)試一次環(huán)境的溫度，相對(duì)濕度。千濕球濕度計(jì)應(yīng)置放在與工作臺(tái)高度一致，沒有氣流的地方；b、潔凈度檢查：試驗(yàn)期間，每4h測(cè)試一次潔凈度。選用測(cè)試精度能滿足相應(yīng)潔凈度等級(jí)的光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器檢測(cè)有效工作區(qū)域的潔凈度；c、地面振動(dòng)檢查：試驗(yàn)期間，測(cè)試一次地面振動(dòng)幅度，振動(dòng)分析儀的拾振裝置應(yīng)置放于工作臺(tái)機(jī)座附近。2、外觀檢查：a、用目視法進(jìn)行外觀質(zhì)量檢查；b、用手感方法檢查移動(dòng)...