6EZ-SIC拋光機(jī)

簡(jiǎn)要描述：Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料（如SiC）的經(jīng)驗(yàn)，6EZ SiC拋光機(jī)是市場(chǎng)上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設(shè)計(jì)的SiC CMP工具，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的拋光機(jī)基本上是為拋光硅集成電路而設(shè)計(jì)的，這有一套非常不同的要求，6EZ與其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設(shè)計(jì)

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更新時(shí)間：2024-11-09
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詳細(xì)介紹

6EZ晶圓載具設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)：

·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料（如SiC）的經(jīng)驗(yàn)

·6EZ SiC拋光機(jī)是市場(chǎng)上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設(shè)計(jì)的SiC CMP工具

·競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的拋光機(jī)基本上是為拋光硅集成電路而設(shè)計(jì)的，這有一套非常不同的要求

·6EZ與其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設(shè)計(jì)

布局和功能：

綜合清潔站

·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學(xué)品

·高壓噴淋棒（10psi）

晶圓翻轉(zhuǎn)

·濕式機(jī)器人實(shí)現(xiàn)雙面拋光

濕式轉(zhuǎn)運(yùn)站

·DIW和化學(xué)沖洗

三臺(tái)200rpm拋光臺(tái)，帶拋光臺(tái)和拋光墊冷卻（5ºC）

·專用載體、護(hù)墊調(diào)節(jié)劑和護(hù)墊清潔劑

·兩種漿料的流量控制器

·每張桌上的化學(xué)清潔劑（第三種漿料可選）

漿料分配臂

調(diào)節(jié)臂和盤片

優(yōu)化晶圓載體

·基于經(jīng)驗(yàn)證的ViPRR技術(shù)的設(shè)計(jì)

晶圓處理

·全自動(dòng)C2C晶圓

·邊緣抓握干式機(jī)器人搬運(yùn)

·最多50片晶圓，無需操作員干預(yù)

晶圓載體對(duì)照表

項(xiàng)目	6EZ(板＋萬向節(jié))	競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手(薄膜)	影響
晶圓載體設(shè)計(jì)	板+萬向節(jié)設(shè)計(jì)(適用于SiC)	基于膜的設(shè)計(jì)(適用于硅薄膜)	6EZ從頭開始為SiC設(shè)計(jì)
拋光下壓力	更高的"拋光下壓力"(設(shè)計(jì)強(qiáng)勁，無RR力)	較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱，RR力降低拋光力)	MRR
可靠性	穩(wěn)健設(shè)計(jì)，可靠性高	膜可能會(huì)意外失效（破裂）	正常運(yùn)行時(shí)間，成本（膜成本高）
扣環(huán)設(shè)計(jì)	扣環(huán)不接觸拋光墊；沒有晶圓溢出	扣環(huán)上的下壓力較大(需要保持晶圓)
下壓力	更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓)	較低的"拋光力"(超過RR所用力的一半)	MRR
扣環(huán)磨損	襯墊上最小的RR磨損可延長(zhǎng)實(shí)用壽命	高RR磨損率降低使用壽命	正常運(yùn)行時(shí)間，成本
襯墊磨損	延長(zhǎng)極板壽命	RR摩擦縮短襯墊壽命	正常運(yùn)行時(shí)間，成本
襯墊調(diào)節(jié)	所需的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間更短	需要更多的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間	正常運(yùn)行時(shí)間，成本
熱量產(chǎn)生	扣環(huán)摩擦不會(huì)產(chǎn)生熱量	必須清除擋圈摩擦產(chǎn)生的熱量	薄膜設(shè)計(jì)具有更高的襯墊過熱風(fēng)險(xiǎn)(工藝風(fēng)險(xiǎn))
區(qū)域控制	晶圓上的2個(gè)區(qū)域，可調(diào)節(jié)	晶圓上的2個(gè)區(qū)域，可調(diào)節(jié)