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簡要描述:EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱,可在最小的占位面積上提供了優(yōu)于其他品牌的掩模對準(zhǔn)技術(shù),并具有最高的產(chǎn)能,優(yōu)良的對準(zhǔn)功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件,最短的掩模和工具更換時間以及高效的*服務(wù)和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)有半自動或自動配置,并配有集成的振動隔離功能。
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特色:EVG ® 6200 NT掩模對準(zhǔn)器為光學(xué)雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達(dá)200毫米。
技術(shù)數(shù)據(jù):EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱,可在最小的占位面積上提供了優(yōu)于與其他品牌的掩模對準(zhǔn)技術(shù),并具有最高的產(chǎn)能,優(yōu)良的對準(zhǔn)功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件,最短的掩模和工具更換時間以及高效的*服務(wù)和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)有半自動或自動配置,并配有集成的振動隔離功能,可在廣泛的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的曝光效果,例如薄和厚光刻膠的曝光,深腔和類似地形的圖案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半導(dǎo)體)的加工。此外,半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。
EVG6200 NT特征:
晶圓/基板尺寸小到200 mm / 8''
系統(tǒng)設(shè)計支持光刻工藝的多功能性
在第一次光刻模式下的吞吐量高達(dá)180 WPH,在自動對準(zhǔn)模式下的吞吐量高達(dá)140 WPH
易碎,薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理,更換時間短
帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補(bǔ)償序列
自動原點(diǎn)功能,用于對準(zhǔn)鍵的精確居中
具有實(shí)時偏移校正功能的動態(tài)對準(zhǔn)功能
支持最新的UV-LED技術(shù)
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)
自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能
可以從半自動版本升級到全自動版本
最小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言)
優(yōu)良的軟件功能以及研發(fā)與全面生產(chǎn)之間的兼容性
便捷處理和轉(zhuǎn)換重組
遠(yuǎn)程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性
臺式或帶防震花崗巖臺的單機(jī)版
EVG6200 NT附加功能:
鍵對準(zhǔn)
紅外對準(zhǔn)
納米壓印光刻(NIL)
EVG6200 NT技術(shù)數(shù)據(jù):
曝光源
汞光源/紫外線LED光源
優(yōu)良的對準(zhǔn)功能
手動對準(zhǔn)/原位對準(zhǔn)驗(yàn)證
自動對準(zhǔn)
動態(tài)對準(zhǔn)/自動邊緣對準(zhǔn)
對準(zhǔn)偏移校正算法
EVG6200 NT產(chǎn)能:
全自動:第一批生產(chǎn)量:每小時180片
全自動:吞吐量對準(zhǔn):每小時140片晶圓
晶圓直徑(基板尺寸):高達(dá)200毫米
對準(zhǔn)方式:
上側(cè)對準(zhǔn):≤±0.5 µm
底側(cè)對準(zhǔn):≤±1,0 µm
紅外校準(zhǔn):≤±2,0 µm /具體取決于基板材料
鍵對準(zhǔn):≤±2,0 µm
NIL對準(zhǔn):≤±3.0 µm
曝光設(shè)定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式
楔形補(bǔ)償:全自動軟件控制
曝光選項:間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光
系統(tǒng)控制
操作系統(tǒng):Windows
文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數(shù)
多語言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR
實(shí)時遠(yuǎn)程訪問,診斷和故障排除
工業(yè)自動化功能:盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理
納米壓印光刻技術(shù):SmartNIL
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