大家也許還不是非常的清楚，光刻機的種類有非常的多，其中的技術(shù)原理也不盡相同，下面就由我來給大家簡單介紹一下有關(guān)接近式光刻機的使用原理及性能指標。

 

　　接近式光刻機的使用原理：

　　其實在我國對于接近式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。

　　我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5gm左右。該光刻機的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個由手動控制的臺子上，臺子可以進行X、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制。

　　在操作過程中掩模版和襯底晶片需要通過分立視場的顯微鏡同時觀察，這樣操作者用手動控制定位臺子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對準了。經(jīng)過紫外光曝光，光線通過掩模版透明的部分，圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。該光刻機的主要缺點是依賴于人操作，由于涂覆光刻膠的圓片與掩模的接觸會產(chǎn)生缺陷，每一次接觸過程，會在圓片和掩模上都造成一定的缺陷。因此，設(shè)備一般用于能容忍較高缺陷水平的器件研究和其他應(yīng)用方面。
 

　　接近式光刻機的外觀圖片：
 

　　接近式光刻機的性能指標：

　　設(shè)備的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。

　　1.分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。

　　2.對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

　　3.曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

　　4.曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準分子激光器等。